Device (Switch Node) RC Snubber Integrated SiCFET Module
Maximized Performance SiCFET Module
제품개요
  • Device (Switch Node) RC Snubber Integrated SiCFET Module
  • Standard Package Platform (34mm, 62mm)
  • Line-up : S1 (1200V 120A/ 200A/ 240A/ 350A), S3 (1200V 240A/ 350A)
국내외 개발동향
  • UnitedSiC (USA)의 Homepage에 SiCFET 소자를 적용한 Power Module 우수 사례로 소개
주요 특징 및 우수성
  • ㈜세미파워렉스 독자 기술인 Thick Film Resistor (5Ω, 20W, 500V Working Voltage) 적용
  • DC Coupling Capacitor 및 High Gate Resistor 불 필요
  • Low Switching Loss

맺음말

㈜세미파워렉스는 차별화된 해석, 설계, 공정, 분석 및 평가 역량을 바탕으로 최적의 WBG Power Module을 개발하고 있습니다.
기업명: ㈜세미파워렉스
성명/직급: 장동근/대표이사
이메일: igbtjang@semi-powerex.com
유선번호: 010-2578-7350