사업목표(5년간)
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675명 학위형 과정 수혜인원
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1,350명 비학위형 단기교육
수혜인원 -
85% 취업률
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198건 산학프로젝트
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90건 교과목 개발/개선
추진 배경 : 친환경 및 에너지 효율성을 강조하는 글로벌 트렌드에 맞춰 기술개발을 통한 국내 파워반도체 산업의 경쟁력 확보와 미래성장동력 발굴
약 830억원, 2017년 7월~2023년 12월(78개월)
SiC 연구플랫폼 :국내 최초 6인치 기반 SiC 소자 제조 일괄공정서비스 지원 FAB
No. | 공정명 | 제조사 | 장비명 | 주요성능 | 비고 |
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1 | 세정 (산화막) |
ULTECH | Aquachem-E | Cleaning Process / Loading → Nano Strip(B.O.E) → QDR → Unloading | "Wafer 전면 가공 (장전단지)" |
2 | 세정 (유기물) |
ULTECH | Aquachem-R | Cleaning Process / Loading → EKC(Metal) → QDR1 → QDR2 → Unloading | |
3 | 에셔 | Gasonic | PEP-3510A | Process Gas : O2(5500sccm), N2(1000sccm) / Heating Chuck : 50 ~ 350℃ / Etch Rate : 50,000Å/min | |
4 | 스텝퍼 | Nikon | NSR-2005i10C | Resolution < 5㎛ / Exposure Light Source : I-Line (365nm) / Resolution Ratio : 1/5 | |
5 | PHOTO (Track) |
SVS | MSX1000 | Spin Coater & Developer Unit : 각 2ea / Hot Plate Unit : 4ea (Max. 200℃) / Cooling Plate Unit : 2ea | |
6 | CD-SEM | HITACHI | S-8820 | Resolution : < 0.5㎛ / Image Magnification : 1,000 ~ 100,000 / Cassette Plate : 2-Port | |
7 | 고온이온주입기 | ULVAC | IH-860PSIC | Beam Energy / 400KeV @ Single Charge / 800KeV @ Double Charge , 1200KeV @ Triple Charge | |
8 | 고온어닐링기 | TYK | Ailesic-2000 | Max. 2100℃ / Ramping Rate 100℃/min / Temperature Uniformity : 1900℃ ±5℃ / Temperature Repeatability : ≤ ±2℃ | |
9 | 스퍼터 | AMAT | Centura 5200 | Deposition Rate : 1㎛/min(at Al) / Thickness Uniformity : ≤ ±3% / Wafer Warp : >50㎛ | |
10 | 퍼니스(RTP) | AG Associates | HEAT8108 | Heating Temperature : 400 ~ 1100℃ / Heating Rate : ≥ 100℃/sec / Heating Methode : Tungsten | |
11 | 면저항측정기 | AiT | CMT-SR2000N | Range : 1mΩ/sq - 2MΩ/sq / Sample Size : Max 200mm / JANDEL 4-Point Probe Head | |
12 | 테스터 | Keysight | B1505A | 측정범위 : 10KV, 500A / 고전류 : Max. 20V/20A(Pulse), 고전압 : Max. 1500V/8mA(Pulse) / 다중주파수 : 1KHz ~ 5KHz | |
13 | 프로브 | Star technology | MAGIC A200e | High Vol-Current 200 mm Triaxial chuck, Camera resolution 4024 x 3036 pixels, Probe card 115mm x 150mm to 200mm | |
14 | 퍼니스 (D-Poly) |
P&T | PF-D63 | HTO/Si3N4 (Uniformity < 5%) , 500 ~ 900℃ / D-Poly (Uniformity < 5%) / Al Sinter , 400 ~ 500℃ | |
15 | 박막두께측정기 | Ellipso Tech | Elli-SEU | Source : Halogen Lamp / Wavelength : 450nm ~ 780nm / Thickness Range : 1nm ~ 20㎛ | |
16 | 퍼니스 (SiO2) |
TYK | Ailesic-1500 | Operational Temperature : 700 ~ 1500℃ / Heating Rate : ≤ 20℃/min / SiO2 Film Thickness Uniformity : ≤ ±1%(within Wafer) | |
17 | PECVD | AMAT | P-5000 | Process Chamber : TEOS, BPSG (Gas : TEOS, TEB, TEPO, O2, N2) / Deposition Rate : 80Å/sec (at SiO2) / Thickness Uniformity : ≤ ±1.5% | |
18 | 건식식각기(SiC) | SAMCO | RIE-800iPC | SiC Trench Side Wall Profile은 88° 이상 / Process Chamber : ICP Plasma Source / SiC와 산화막과의 식각 선택비는 3.5:1 이상 | |
19 | 건식식각기(금속) | Lam Research | TCP-9600PTX | Process Gas : BCl3, Cl2, N2, O2, CF4, Ar, H2O / Etch Rate : 7000Å/min (at Al) / Uniformity : 5%(Wafer to Wafer)이하 | |
20 | 마이크로스코프 | OLYMPUS | DSX510-ASU | Magnification : x 5,000 / Camera Sensor : 2.1M Pixel / Frame Rate : 15 , Stage 100mm x 100mm | |
21 | 입자계수기 | KLA Tencor | Candela CS10 | Wafer Thickness : 350 ~ 1100㎛ - 25mW Laser, 405nm Wavelength / Transparent Film Coatings | |
22 | FE-SEM | TESCAN | S8000 | 구성 : FE-SEM, EDS, Metal Coater / Gun : Schottky Emission Source / Tilt : -60° ~ 90° , Magnification ≤ x 2,000,000 | |
23 | 세정기 (Metal) |
ULTECH | Aquachem-H | Cleaning Process / Loading → HF → OFR → Unloading | |
24 | 후면그라인더 | DISCO | DGP-8761 | Z1, Z2 : Grinder / Z3 : Polishing (Grinder Wheel : 200mm) / High Rigidity : 6.3Kw (Spindle Power) | "Wafer 후면 가공(장안단지)" |
25 | 세정 | ULTECH | Aquachem-C | Cleaning Process / Loading → SC1 → HQDR → SC2 → HQDR → HF → OFR → IPA Dryer → Unloading | |
26 | 두께측정기 | FRT | MICROPROF-200 | Thickness Range : 50㎛ ~ 2000㎛ / Accuracy : < 0.2㎛ / Bow & Warpage Range 20㎛, Repetition 0.2㎛, Accuracy 0.5㎛ | |
27 | 레어저어닐 | SUMITOMO | SWA-20US-M | Wave Length : UV Laser 355±5% / Out Power : ≥ 10W @ 20KHz | |
28 | 후면스퍼터 | LAT | LIS-150 | Film Uniformity : < 5% / Thin Wafer Process KIT : 100 ~ 725㎛ |
Large Bandgap / Good Oxide Quality / Easy to Process
fig. 1 : Theoretical limits of on-resistances as a function of Vbr
Ref. S. J. Pearton; Fan Ren; Marko Tadjer; Jihyun Kim; Journal of Applied Physics 124, 220901 (2018)
고효율화, 소형화, 고전압화 등 전력시스템에 적합한 차세대화합물 전력반도체 소자
(중기부) Ga₂O₃ Wafer 제조를 위한 6N 고순도 Ga₂O₃ Powder 개발
(과기부) 전력반도체용 4인치급 고품질 산화갈륨 단결정 성장 및 기판 기술 개발
(산업부)1.2kV급 산화갈륨 전력반도체 소자 기술 개발
기관명을 누르시면 해당 홈페이지로 이동합니다.
K-GOAL : Korea Gallium Oxide ALliance
문의처 : 한국반도체연구조합 이지한 PM (02-570-5260)
차세대전력반도체 소자제조 전문인력양성사업 홈페이지로 연결됩니다.
홈페이지 바로가기한국반도체연구조합은 산업통상자원부의 지원을 받아 국내 전력반도체 기업에서 필요로 하는 맞춤형 인재 양성 및 산업계로의 공급을 위해 다양한 지원을 진행하고 있습니다. (사업기간: 2020. 3. 1 ~ 2025. 2. 28)
산·학 연계 프로젝트 기반 차세대전력반도체 전문인력양성을 통한 국내 전력반도체 산업 생태계 육성 및 글로벌 경쟁력 강화
단기교육 신청/접수 안내 : 동 사업 홈페이지(http://www.cosar-power.or.kr) 및 협회 홈페이지 내 공지사항 참조
참여기관별 세부 커리큘럼 다운로드구분 | 제조공정 | ||
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대학교 |
광운대
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동의대
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한국해양대
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모집인원 | 석사과정 9명/년 | 석사과정 6명/년 | 석사과정 5명/년 |
입학일정 | 전기: 매년 10월 경 / 후기: 매년 5월 경 | 전기: 매년 11월 경 / 후기: 매년 5월 경 | 전기: 매년 12월 경 / 후기: 매년 6월 경 |
구분 | 소자설계 | ||
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대학교 |
부산대
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세종대
![]() |
홍익대
![]() |
모집인원 | 석사과정 10명/년 | 석사과정 9명/년 | 석사과정 8명/년 |
입학일정 | 전기: 매년 12월 경 / 후기: 매년 5월 경 | 전기: 매년 10월 경 / 후기: 매년 4월 경 | 전기: 매년 10월 경 / 후기: 매년 4월 경 |
구분 | 시스템 | ||
---|---|---|---|
대학교 |
부경대
![]() |
성균관대
![]() |
한양대에리카
![]() |
모집인원 | 석사과정 9명/년 | 석사과정 11명/년 | 석사과정 8명/년 |
입학일정 | 전기: 매년 10월 경 / 후기: 매년 5월 경 | 전기: 매년 9월 경 / 후기: 매년 4월 경 | 전기: 매년 10월 경 / 후기: 매년 5월 경 |
제조공정 | ||
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대학교 | 모집인원 | 입학일정 |
광운대
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석사과정 9명/년 | 전기: 매년 10월 경 후기: 매년 5월 경 |
동의대
![]() |
석사과정 6명/년 | 전기: 매년 11월 경 후기: 매년 5월 경 |
한국해양대
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석사과정 5명/년 | 전기: 매년 12월 경 후기: 매년 6월 경 |